3DG130B参数及替代品：
型号：3DG130B。
别名：3DG130B三极管、3DG130B三极管、3DG130B三极管。
生产企业：中国大陆半导体公司。
材质：Si-NPN。
属性：通用（Uni）。
包装形式：直接插件包装。
最大工作电压：45V。
最大电流允许值：0.3A。
最大工作频率：150MHZ。
引脚数量：3。
可更换型号：最大功耗0.7W，放大倍数。
供应商型号、品牌、批号、包装、库存、备注、价格。
3DG130B，属于3DG130（hFE40~180），硅管NPN，功率Pcm为700mW，电流为500mA，电压Vce030V。3DG6C，属于3DG6（hFE10~270），硅管NPN，功率Pcm为100mW，电流为20mA，电压Vce015V。均为金属封装，外壳4.8，附加边5.8。
晶体管3dg12和3dg130是硅npn高频小功率晶体管。3dg130分为3dg130a、3dg130b和3dg130c牌号，而3dg12仅具有与3dg130a牌号相同的性能，与其他两种型号的性能参数不同。3dg130的hfe大于30倍，射频基极电压大于4伏，最大集电极电流300毫安，功耗700毫瓦。a和b文件的特征频率为150兆字节。
3DG12三极管：主要参数：20V、0.3A、0.7W、100MHz。3DG130三极管：主要参数：700V、0.3A、0.7W、150MHz。在耐压和频率方面，3DG130是3DG12的替代品。
型号：3DG130B
类型：NPN晶体管
最大集电极功耗(PCM)：0.7W
最大允许集电极电流（ICM）：0.3A
集电极到基极反向击穿电压(BVCBO)：60V
集电极到发射极反向击穿电压(BVCEO)：45V
集电极和基极反向漏电流（ICBO）：0.5A
集电极和发射极反向漏电流（ICEO）：1A
特征频率(fT)：150MHz
直流放大系数（hFE）：30
芯片材质：硅
3DG130B-0.7W，0.3A，45V，150MHz，>30。可用2SC1318、2SC1973、2SC2002替代。
3DG130B是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），常用于功率放大器电路和开关电路。其主要参数如下：
1、额定电压：500V
2.额定电流：14A
3.最大功率：200W
4.开关时间：30ns
如果需要更换3DG130B，可以考虑以下型号：
1、IRFP460：额定电压500V，额定电流20A，最大功率280W，开关时间100ns。
2.STP14NK50ZFP：额定电压500V，额定电流14A，最大功率200W，开关时间75ns。
3.IXTK90N25L2：额定电压250V，额定电流90A，最大功率500W，开关时间30ns。
需要注意的是，更换时应仔细检查相关规格书或数据表，确保更换器件的参数符合具体电路设计的要求。
