当T增加时，Vbe减少而Ie增加。“随着Ie的增加，发射极电压Ve=Ie*Re增加。当Vb被认为不变时，Vbe=Vb-Ve减少。”但降低Vbe也会降低Ib，“Ie=(beta+1)*Ib”所以Ie也会降低，
由于晶体管采用硅、锗等半导体材料制成，当环境温度升高时，内部载流子吸收足够的能量并被激发，导致晶体管的放大倍数和反向漏电流（ICBO、ICEO）增大。发射结的正向压降VBEQ也会减小，进而导致晶体管的集电极电流ICQ增大，相应的集电极-发射极电压VCEQ也会减小，这些参数都属于静态工作点。如果电路的静态工作点不能稳定
