3DG130B参数及替代品:
型号:3DG130B。
别名:3DG130B三极管、3DG130B三极管、3DG130B三极管。
生产企业:中国大陆半导体公司。
材质:Si-NPN。
属性:通用(Uni)。
包装形式:直接插件包装。
最大工作电压:45V。
最大电流允许值:0.3A。
最大工作频率:150MHZ。
引脚数量:3。
可更换型号:最大功耗0.7W,放大倍数。
供应商型号、品牌、批号、包装、库存、备注、价格。
3DG130B,属于3DG130(hFE40~180),硅管NPN,功率Pcm为700mW,电流为500mA,电压Vce030V。3DG6C,属于3DG6(hFE10~270),硅管NPN,功率Pcm为100mW,电流为20mA,电压Vce015V。均为金属封装,外壳4.8,附加边5.8。
晶体管3dg12和3dg130是硅npn高频小功率晶体管。3dg130分为3dg130a、3dg130b和3dg130c牌号,而3dg12仅具有与3dg130a牌号相同的性能,与其他两种型号的性能参数不同。3dg130的hfe大于30倍,射频基极电压大于4伏,最大集电极电流300毫安,功耗700毫瓦。a和b文件的特征频率为150兆字节。
3DG12三极管:主要参数:20V、0.3A、0.7W、100MHz。3DG130三极管:主要参数:700V、0.3A、0.7W、150MHz。在耐压和频率方面,3DG130是3DG12的替代品。
型号:3DG130B
类型:NPN晶体管
最大集电极功耗(PCM):0.7W
最大允许集电极电流(ICM):0.3A
集电极到基极反向击穿电压(BVCBO):60V
集电极到发射极反向击穿电压(BVCEO):45V
集电极和基极反向漏电流(ICBO):0.5A
集电极和发射极反向漏电流(ICEO):1A
特征频率(fT):150MHz
直流放大系数(hFE):30
芯片材质:硅
3DG130B-0.7W,0.3A,45V,150MHz,>30。可用2SC1318、2SC1973、2SC2002替代。
3DG130B是一种N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),常用于功率放大器电路和开关电路。其主要参数如下:
1、额定电压:500V
2.额定电流:14A
3.最大功率:200W
4.开关时间:30ns
如果需要更换3DG130B,可以考虑以下型号:
1、IRFP460:额定电压500V,额定电流20A,最大功率280W,开关时间100ns。
2.STP14NK50ZFP:额定电压500V,额定电流14A,最大功率200W,开关时间75ns。
3.IXTK90N25L2:额定电压250V,额定电流90A,最大功率500W,开关时间30ns。
需要注意的是,更换时应仔细检查相关规格书或数据表,确保更换器件的参数符合具体电路设计的要求。