1）处理器：每次升级内存，都必须支持处理器。Haswell-E平台的内存与IVB-E/SNB-E一样都是四通道设计。DDR4内存频率原生支持2133MHz。这相对于IVB-E的DDR3原生1866MHz来说，启动频率有相当大的提升。作为新旗舰，Haswell-E最大的改进有两点：一是从6核升级到8核，二是支持DDR4。市场初期整体成本相当高，且不会同时支持DDR3和DDR4内存，增加了DDR4普及的门槛。
2）频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到2133。DDR4内存起始频率已达到2133，量产产品最高频率已达到3000。内存频率方面，DDR4相比DDR3有了很大的提升。
3）DDR4最重要的使命当然是提升频率和带宽。DDR4内存的每个引脚可以提供2Gbps（256MB/s）的带宽。DDR4-3200为51.2GB/s，比DDR3-1866提升70%以上。
4）DDR4内存容量显着提升，最高可达128GB：上一代DDR3内存最大单条容量为64GB，实际能买到的基本都是16GB/32GB，而新一代DDR4内存则有最大单块容量128GB，可与SSD媲美。
5）DDR4采用3DS堆叠封装技术后，单条内存容量可达现有产品的8倍。比如目前常见的大容量内存单条容量为8GB，而DDR4则可以达到64GB甚至128GB。电压方面，DDR4将采用20nm以下的工艺制造，电压将从DDR3的1.5V下降到DDR4的1.2V。移动版SO-DIMMDDR4的电压会降得更低。
